中国·6163银河(股份)有限公司-官方网站

研究方向

氮化镓基发光二极管（LED）及氮化镓、砷化镓基激光二极管（LD）发光机理与光电性能研究：

（1） 发光器件的结构设计与仿真计算；

（2） 发光器件的外延生长与性能表征；

（3） 外延材料界面超微观结构电子显微镜分析。

个人简历

Ø 2006.09-2008.06鲁东大学      物理学专业            学士；

Ø 2008.09-2011.06太原理工大学  材料物理与化学专业    硕士；

Ø 2011.07-2016.11山西飞虹微纳米光电科技有限公司    研发员；

Ø 2012.01-2016.07太原理工大学  材料科学与工程        博士；

Ø 2016.11-2018.12太原理工大学  6163银河官方网站入口  实验师；

Ø 2018.12–2024.12 太原理工大学  新材料界面科学与工程教育部重点实验室  高级实验师

Ø 2025.01–至今太原理工大学  新材料界面科学与工程教育部重点实验室  正高级实验师

学术兼职

发光学报青年编委

教学及指导研究生

指导在读硕士研究生12人，培养毕业硕士生17名。

科研成果

总体概述：

主要研究工作为砷化镓、氮化镓基半导体激光器和氮化镓基发光二极管光电性能研究：包括发光器件的结构设计与仿真；外延生长与界面超微观结构电子显微镜分析。科研成果在国际知名期刊发表SCI学术论文70余篇，其中，以第一作者或通讯身份在Optics Letters, Optics and Laser Technology, Nanoscale等期刊上发表学术论文30余篇；已授权国家专利12项。主持国家青年基金1项，山西省面上青年基金1项，山西浙大新材料与化工研究院1项，其他3项，参与国家自然科学基金3项、山西省重点研发项目2项、市级重点科研项目1项。获山西省技术发明奖1项。

科研项目：

(1) 山西浙大新材料与化工研究院，大功率GaAs基垂直腔面发射激光器外延材料及器件研发，2022.8.30-2025.8.30，在研，主持

(2) 国家自然科学基金青年项目，GaAs基量子阱/量子点激光器外延材料中界面结构调控机制与性能研究，2020.01-2022.12，结题，主持

(3) 山西省自然科学基金，原子调控技术制备量子线/量子点激光器及光电性质研究，2018.12-2020.12，结题，主持

(4) 校基金；太原理工大学，2017.12-2019.12，结题，主持

代表性论文：

(1) Yubo Xue, Wei Jia, Zhigang Jia, Shufang Ma, Lin Shang, Hailiang Dong*, Influence of tunnel junction number on the small-signal modulation bandwidth in 1.3 μm InP-based high-speed vertical-cavity surface-emitting laser, European Physical Journal Plus, 2025, 140:1076

(2) Ping Song, Yubo Xue, Hailiang Dong*, Zhigang Jia, Wei Jia, Jian Liang, Zhiyong Wang, Bingshe Xu, High-performance multi-junction cascade 1.3 μm quantum dot vertical cavity surface-emitting laser, Optics Letters, 2024, 49(6):1437-1440

(3) Zhang Xu, Hailiang Dong^*, Jia Zhigang, Zhang Aiqin, Jian Liang, Zhiyong Wang, Bingshe Xu^*, Effect of Ga_1−xIn_xAs_1−yP_y Al-free asymmetric barrier on GaAs-based 808-nm laser diode, Optics Letters, 2022, 47(5):1153-1156

(4) Hailiang Dong^*, Tiantian Jia, Jian Liang, Aiqin Zhang, Zhigang Jia, Wei Jia, Xuguang Liu, Guoqiang Li, Yucheng Wu, Bingshe Xu*, Improved carrier transport and photoelectric properties of InGaN/GaN multiple quantum wells with wider well and narrower barrier, Optics and Laser Technology, 2020,129: 106309-1-106309-7

(5) Hailiang Dong, Jing Sun, Shufang Ma, Jian Liang, Taiping Lu, Xuguang Liu, Bingshe Xu^*, Influence of substrate misorientation on the photoluminescence and structural properties of InGaAs/GaAsP multiple quantum wells, Nanoscale, 2016, 8, 6043–6056.

授权专利(第一发明人)：

(1) 董海亮，许并社，贾志刚，贾伟，多结级联量子点垂直腔面发射激光器结构及制备方法, ZL202411872002X, 授权日：2025.10.31

(2) 董海亮，许并社，贾志刚，张爱琴，屈凯，李天保，梁建，边发射激光器光束整形结构、激光器芯片及其制备方法，ZL 2019 1 0156461.0，授权日：2024.4.9

(3) 董海亮；胡雪莹；许并社；梁建；贾志刚；贾伟，具有Al组分的双波导半导体激光器结构及其制备方法，ZL202210267493.X，授权日：2023.4.11

(4) 董海亮;许并社;贾伟;贾志刚;张爱琴;屈凯;李天保; 梁建，一种高性能GaN基发光二极管结构及其制备方法，ZL20191 0235667.2，授权日：2024.1.23

(5) 董海亮，许并社，贾伟，张爱琴，贾志刚，屈凯，李天保，梁建，一种高性能的绿光二极管多量子阱结构及其制备方法, ZL201811621402.8, 授权日：2023.10.13

科研获奖：

高功率半导体激光器外延材料及器件界面工程调控技术，山西省技术发明奖，三等，2016，排名第六。

联系方式

QQ：315367107         Email:dhltyut@163.com