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研究方向

化合物半导体材料

个人简历

2007/12-至今，太原理工大学，新材料界面科学与工程教育部重点实验室工作。

学术兼职

教学及指导研究生

培养硕士研究生15名，这些毕业生已在小米科技有限责任公司、中芯国际集成电路制造有限公司、京东方科技集团股份有限公司、维信诺科技有限公司、长鑫集电存储技术有限公司、北京晨晶电子有限公司、山西烁科晶体有限公司等半导体企业就职。

科研成果

总体概述：主要研究工作为化合物半导体材料的外延生长、结构表征与光电性能研究，共发表SCI论文20余篇，授权中国发明专利10项。主持或参加多项国家自然科学基金和山西省自然科学基金项目。

科研项目：

山西省重点研发计划子课题，p型碳化硅单晶衬底研发，2019.12-2022.12，22.5万元。

2. 山西浙大新材料与化工研究院项目，高光效大功率LED外延材料、芯片制造及照明产品，2021.09-2024.08，55万元。

3. 山西鼎亘科技产业有限责任公司成果转化项目，一种LED外延结构及其制备方法，2025.10-2026.10，30万元。

4. 太原理工大学建筑设计研究院有限公司技术服务项目，高光效低能耗长寿命大功率LED光源散热等关键技术研究（高光效LED外延材料生长技术研究），2024.11-2026.11，10万元。

5.山西昕耀贸易有限公司技术服务项目，铬矿石成分分析和结构表征，2025.10-2026.10，3万元。

代表性论文：

1. Wei Jia* , Henglei Ren, Tianbao Li, Guangmei Zhai, Pengqi Dong, Kaida Jia, Hailiang Dong,and Bingshe Xu. Fabrication of porous Ga₂O₃/GaN heterojunction for ultraviolet photodetector application[J]. Optics Express, 2025, 33: 18993-19003.

2. Kaida Jia, Wei Jia *, Tianbao Li , Guangmei Zhai, Henglei Ren , Hailiang Dong, Pengqi Dong, Bingshe Xu. Fabrication of Porous Cu_xZn_1-xS/GaN Heterojunctions for Ultraviolet Photodetector Application[J]. Optical Materials, 2025,162: 116881.

3. Wei Jia* , Zhiwei Du, Lifan Zhang, Ruimei Yin, Hailiang Dong, Tianbao Li, Zhigang Jia, and Bingshe Xu. Multi-Color emission based on InGaN/GaN micro truncated-pyramid Arrays. AIP Advances, 2024, 14(05): 055011.

4. 任恒磊, 贾 伟*, 董海亮, 贾凯达, 王 瑞, 董鹏岐, 许并社。多孔Ga₂O₃/GaN异质结的制备及紫外探测性能研究[J]. 光学学报, 2025, 45(15):1504002.

5. Xinxin Wen, Wei Jia* , Guangmei Zhai, Hailiang Dong, Chao Zhao, Tianbao Li, and Bingshe Xu. Numerical simulations on the photoelectric performance of AlGaN-based ultraviolet VCSELs with a slope-shaped p-type layer.  Chinese Optics, 2025, 18(3):500-509.

授权专利(第一发明人)：

(1)贾伟, 樊腾, 李天保, 董海亮, 许并社。一种高质量GaN薄膜及其制备方法, 2019-07-16, 中国, ZL201810218544.3.

(2)贾伟, 仝广运, 樊腾, 李天保, 余春燕, 许并社。基于GaN六棱锥阵列的LED外延结构及其制备方法, 2018-12-25, 中国, ZL 201710371893.4.

(3)贾伟, 樊腾, 仝广运, 李天保, 翟光美, 许并社。一种LED外延结构及其制备方法, 2018-11-02, 中国, ZL201710371894.9.

(4)贾伟, 樊腾, 李天保, 许并社, 李学敏, 卢太平, 梅伏洪。一种GaN纳米棒阵列结构的制备方法, 2018-05-15, 中国, ZL 201610592848.7.

(5)贾伟, 翟光美, 党随虎, 许并社, 李天保。一种InGaN/AlGaN-GaN基多量子阱结构及其制备方法, 2016-08-31, 中国, ZL201410471184.X.

科研获奖：

1.贾伟，高功率半导体激光器外延材料及器件界面工程调控技术，山西省科学技术发明奖，三等奖，2015，（马淑芳，王智勇，贾志刚，贾伟，曹银花，董海亮）。

联系方式

13994271921，Email: jiawei@tyut.edu.cn